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重磅發佈!IGBT專利全景分析報告搶先看

來源:中國電力新聞網 時間:2021-02-09 09:28

  黨的十九屆五中全會提出:“要堅持創新在我國現代化建設全局中的核心地位,把科技自立自強作為國家發展的戰略支撐。”

  Ø國家發展改革委在《關於擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》中明確提出“要加快IGBT等核心技術部件研發”。

  Ø國家電網公司2020年科技創新大會上提出“要着力增強原始創新能力,實現關鍵核心技術自主可控”,並在其發佈的《新興產業集羣培育的指導意見》中進一步明確重點拓展IGBT等新興業務。

  由此可見:無論是國家層面、還是行業層面,都將IGBT領域技術創新放在了發展的核心地位。

  一、什麼是IGBT

  絕緣柵雙極型晶體管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT 是為解決金屬—氧化物半 導體場效應晶體管在高壓應用時的導通損耗與耐壓水平之間的矛盾,由通用電氣公司和美國無線電公司在1982年提出的一種新型結構器件。經過30 多年的發展,IGBT技術持續改進,實現了在功率變換領域的廣泛應用。

  作為智能電網、軌道交通、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的技術熱點,在較長一段時間內,IGBT核心技術都由國外相關機構和企業把持。近些年,中國在此領域雖取得了長足的進步,但也存在一些“卡脖子”技術和研究空白,需要重點開展科研攻關。  

  經過多年的發展,IGBT器件領域已經積累了大量的專利,專利信息是一種高度標準化的技術法律信息,無論是專利類別劃分,還是文體結構及句法結構,都有相對可循的規律。對IGBT專利的全景分析既可以瞭解目前國內外對此領域的專利研究現狀,也可以提升IGBT專利質量,激發創新能力,探究未來發展趨勢,有利於企業制定發展策略。

  二、《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報告》

  由英大傳媒集團中國電力百科網運營團隊策劃並牽頭編制的第一款技術諮詢研究報告——《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報告》,即將於20213正式發佈!報告由國網智能電網研究院等權威研究機構提供專家指導、中國電力百科網(www.ceppedu.com)、德温特創新平台(www.derwentinnovation.com提供數據和工具支持。



  Ø IGBT技術領域最新、最全專利分析報告

  Ø 內容豐富、數據翔實、分析全面、方法新穎

  Ø 形成了全方位、多角度、專業化的研究結論

  Ø 可為國內外相關政府部門、科研院所、企業、高校等提供有益參考

  本報告通過制定IGBT 整體檢索和分析方案,對IGBT全球範圍內的專利信息進行深度檢索,從專利授權活動、實體動態、技術分析等角度全面分析、洞察專利授權的趨勢,並對專利技術分支進行多維度統計分析,形成全方位、多角度、專業化的研究結論。

  三、報告的作用

  (1)全面瞭解IGBT 技術的最新發展趨勢和技術佈局,分析指導發展方向,把技術空白或佈局薄弱處作為突破口,為企業構築核心競爭力。

  (2)有效規避相同的發明點,避免在研發過程中的各種潛在風險,從而優化企業專利佈局,更好地保護自有知識產權。

  (3)深入瞭解IGBT領域的主要競爭對手及其發展方向,從而制定相應策略,出具競爭方案,為企業自身制定未來的專利和市場對抗戰略提供有利的依據。

  四、報告的亮點

  1.優化的檢索策略

  (1檢索範圍大:包含在全球範圍內公開的,在標題、摘要或權利要求中涉及“絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、快恢復二極管(FRD)以及續流二極管(FWD)”的近 20 年(從 2000 年 1 月 1 日起首次提交的)專利數據,在初步檢索基礎上,進行了大範圍去噪,並通過與專家協商進行重查、清理和確認,最終得到檢索結果為10259個專利家族,以此作為IGBT技術領域研究的專利集合,並通過分析每個專利家族的一篇專利公開代表進行全景分析。

  (2檢索要素全:使用關鍵詞及其變體,在德温特創新平台(Derwent Innovation中國電力百科網中,用其包含的多種分類方式及其組合(包括IPCCPCDWPI手工代碼)進行綜合檢索。

  (3檢索策略新:採用了關鍵詞與分類號、關鍵詞與關鍵詞等相關策略,最終確定了28個檢索策略,其中主要檢索策略包括:

  Ø 檢索在標題、摘要、權利要求等重要分類中主要討論IGBT的專利。

  Ø 檢索幾種不同類型的IGBT(例如 COMFETMOSIGTGEMFET)。

  Ø 檢索主要討論高壓二極管或功率二極管,例如快恢復二極管、續流二極管或晶閘管,並且提到了這些器件同時適用於IGBT的專利。

  Ø 檢索集中於功率半導體器件的專利,其提到了在IGBT 技術領域中的應用。

  2.完善的分析方法

  通過技術關鍵詞和技術分類體系對每個子分類進行單獨的檢索,將最終的集合細分到最小分類中,並基於最終分類的專利集合,生成分析框架,在專利授權趨勢、實體動態、技術分析等維度上,以可視化方式突出顯示專利全景分析的重要結論。

  3.採用“發明”這一概念進行專利分析

  Ø 報告採用“發明”作為每個專利記錄的定義。

  Ø “發明”不是單獨的專利公開文獻,而是包括了同一個專利家族的相關專利申請和授權專利。

  Ø 採用“發明”這一概念進行專利分析,為 IGBT 技術領域實體的發明活躍度等指標提供了更準確的測定,並能夠對遍及該領域的總體創新水平提供更真實的描述。

  Ø 為了進行統一的分析,專利全景分析中使用每個專利家族第一次提出專利申請的日期作為分析的基礎。

  五、報告內容概覽

  1.報告給出了IGBT專利集合的專利地圖,如下:



  IGBT專利集合的專利地圖

  2.報告給出了IGBT的技術分類表,如下(部分):

  IGBT的技術分類表(部分)



  3.報告分析了IGBT專利創新趨勢、創新增長率、創新來源、保護和申請策略、平均專利審查週期及授權率等專利授權活動內容。


  創新增長率


  4.報告分析了專利所有權動態、第一梯級專利組合及創新增長率、專利強度分佈、專利實體保護策略、頂級學術機構、新興實體等內容,還對國家電網公司在IGBT技術領域的專利引用和被引用的關係進行了重點闡述。


  頂級學術機構


  5.報告對各技術分類的專利分佈、技術創新增長趨勢、新興技術、主要參與者的技術重點、技術交叉與空白進行了詳細的分析。


  IGBT分類的增長趨勢


  六、報告主要結論

  報告形成的部分結論如下:

  (1)總體情況

  Ø 2009年至2013年觀察到了發明活躍性的高增長。自2013年後,本領域的申請數量趨於穩定。

  Ø 企業在該領域中貢獻大多數發明,而14%的發明由學術和政府研究機構提交。

  Ø ……

  (2)創新來源情況

  Ø 中國在IGBT技術領域取得了長足的發展,其中自2014年以來,65%的發明方案在中國得到了保護,這表明中國實體近年對這一領域的強烈關注。

  Ø 近年來,來自日本的發明專利數量有所減少。

  Ø 在美國提交的專利獲得授權的時間最快,並且在美國提交的專利中幾乎87%已經被授權。

  Ø ……

  (3)專利實體情況

  Ø 3位發明數量最高的實體是富士電機(665項),英飛凌(624項)和三菱電機(363項)。

  Ø 劍橋半導體公司、安森美半導體和古河電氣工業具有高引用數量的舊有專利,是影響深遠的早期創新者。

  Ø ABB、羅姆半導體、三星電機、電子科技大學、東南大學是該領域的新興實體,擁有強大的年輕專利組合。

  Ø ……

  (4)國家電網公司情況

  Ø 在電力電子、半導體以及計算和控制領域,國家電網公司在中國的專利被其他專利引用。

  Ø ……

  (5)技術趨勢

  Ø 溝槽、硅基 IGBT 和減薄是在 IGBT 分類中發明數量最高的主要類別。

  Ø 溝槽、碳化硅基 IGBT 和載流子存儲層子類在 IGBT 分類內顯示出最高的增長。

  Ø ……

  (完整結論請參見報告全文)

  七、報告的獲取方式

  報告全文將以紙質版和電子版兩種方式發佈,單本定價150,發佈時間初步定於20213月。現在正式開始接受預定

  其中:

  紙質版可接受個人和團體訂購

  電子版可通過中國電力百科網PC端(www.ceppedu.com)、移動端(電網頭條APP知識頻道)來購買閲讀。中國電力百科網會員單位可享受免費在線閲讀。

  如對報告的內容、獲取方式以及會員單位的開通等問題有疑問,可聯繫我們。

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任編輯:周小博  投稿郵箱:網上投稿